Smartphony budou již brzy ještě rychlejší

Díky novému standardu bude možné v kombinaci se sedmou generací paměťových čipů V-typu NAND a vlastnímu řadiči dosáhnout na rychlosti až 4 200 MB/s při (sekvenčním) čtení dat a až 2 800 MB/s při (sekvenčním) zápisu dat. Úložiště s maximálními rozměry 11 × 13 × 1 mm přitom nabídne až 1 TB prostoru.

UFS 4.0 umožňuje prostřednictvím jedné datové linky přenést až 23,2 Gbps. Oproti UFS 3.1 jde tedy přibližně o dvojnásobek. Z hlediska datové propustnosti tak půjde o řešení vhodné i pro náročné činnosti včetně aplikací pro rozšířenou nebo virtuální realitu. Vedle smartphonů se počítá také s nasazením v dalších oblastech. Nabízí se např. využití automotive segmentu nebo průmyslu, kde se budou nové paměti vhodně kombinovat s rychlými datovými přenosy dosažitelnými díky 5G sítím.

Lepší je oproti předchozí generaci také energetická efektivita – podle Samsungu až o 46 %. Pokud byste zatoužili po specifičtějším vyjádření, mohli bychom doplnit, že systém UFS 4.0 poskytuje rychlost sekvenčního čtení 6 MB/s na jednu mA.

Hromadná produkce nových pamětí by podle Samsungu měla být zahájena během třetího čtvrtletí letošního roku.