Intel a Micron představili 3D NAND flash paměti

Nová technologie 3D NAND používá vertikálního navrstvení buněk ve 32 vrstvách, čímž dosahuje 256 Gb v dvoúrovňovém (MLC) a 384 Gb v trojúrovňovém (TLC) stavu — čipy je pak možné integrovat do standardního paměťového řešení. Protože je této kapacity je dosaženo vertikálním vrstvením buněk, mohou být jejich rozměry podstatně větší. To by mělo vést k vyššímu výkonu i životnosti, takže by se TLC řešení mohla používat i v datových centrech.

Dvojrozměrná flash technologie NAND se blíží svým kapacitním limitům, což pro výrobce pamětí představuje problém. Technologie 3D NAND proto bude mít významný dopad na vývoj trhu, neboť udrží vývoj paměťových řešení v souladu s Mooreovým zákonem, trajektorií rostoucího výkonu a klesající ceny a zároveň přispěje k rozšířenějšímu používání technologií flash.

Jedním z nejvýznamnějších aspektů technologie je paměťová buňka samotná. Intel a Micron se rozhodly použít buňku s plovoucím hradlem, jež je všeobecně používána při výrobě dvojrozměrných pamětí flash. Jde vůbec o první použití této buňky v 3D NAND technologii, nicméně právě tato volba umožnila nárůst výkonu, kvality i spolehlivosti.

MLC verze s kapacitou 256 Gb je právě testována vybranými partnery, přičemž verze 384Gb TLC bude testována ještě během letošního jara. Byla již zahájena výroba a obě paměti budou v plné výrobě do čtvrtletí letošního roku. Obě společnosti vyvíjejí individuální řady SSD řešení postavených na 3D NAND technologii a očekávají, že tyto produkty budou uvedeny na trh během příštího roku.