Paměti

Intel a Micron představili 3D NAND flash paměti
Novinky

Intel a Micron představili 3D NAND flash paměti

Nová technologie používá buňky s plovoucím hradlem a umožňuje dosažení zatím nejvyšší hustoty zapsaných dat ve flashovém úložišti vůbec (oproti jiným aktuálně vyráběným NAND pamětem dosahuje trojnásobné kapacity). Vyrobit je možné SSD velikosti žvýkačky s kapacitou přes 3,5 TB a 2,5" SSD o kapacitě přes 10 TB.

Přečíst celý článek
Samsung představil 128GB úložiště pro smartphony a tablety
Novinky

Samsung představil 128GB úložiště pro smartphony a tablety

Společnost Samsung představila 128GB 3bit NAND úložiště pro mobilní zařízení, které je založené na technologii Embedded MultiMediaCard (eMMC) 5.0. Díky tomuto řešení budou moci již brzy nabídnout takovýto prostor i přístroje střední cenové kategorie.

Přečíst celý článek