Co přinese nový typ paměti Intel Optane DC Persistent Memory?

11. 6. 2018. (redaktor: František Doupal, zdroj: Intel, Anandtech, Extremetech)
Nové paměťové moduly Optane DC Persistent Memory mají podle Intelu potenciál výrazně zamíchat kartami v oblasti operačních pamětí. Jde o zcela nový typ paměti, založený na technologii 3D Xpoint, který se bude vkládat do slotů pro paměti RAM (avšak funguje jinak). Jeden modul přitom pojme až 512 GB a neztratí data ani při odpojení napájení.

Moduly, o kterých se již delší dobu hovořilo pod označením „Apache Pass“, se na trh nakonec dostávají pod označením Intel Optane DC Persistent Memory. A ačkoli jejich pojmenování může svádět k jejich připodobňování k pamětím Intel Optane, které jsou na trhu již nějakou tu dobu, jde ve finále o záležitost dosti odlišnou.

Z funkčního hlediska paměti Intel Optane DC Persistent Memory vytvoří jakýsi most mezi stávajícími DRAM pamětmi a non-volatilními úložišti, jako jsou SSD či HDD.

Fyzicky jsou moduly (pinově) kompatibilní se standardem DDR4 a budou podporovány nadcházející generací serverových procesorů Intel Xeon (které musejí být pro tuto technologie patřičně připraveny). Dostupné (minimálně zpočátku) budou v kapacitách 128, 256 a 512 GB. Při šesti slotech tedy půjde o 3TB adresovatelné RAM paměti na socket. Systémy budou schopny kombinovat i velké úložiště Intel Optane DC Persistent Memory jako cache okolo menších DRAM kapacit.

Pro vybrané zákazníky budou moduly dostupné ještě v letošním roce, jejich širší dostupnost je naplánována na rok 2019. Podobně jako při nástupu „stejnojmenných“ SSD i nyní Intel nabídne k systémům disponujícím Optane DC Persistent Memory vzdálený přístup, takže si je vývojáři a poskytovatelé služeb budou moci s předstihem osahat a přizpůsobit svůj software a služby.

Některé informace však stále zůstávají zahaleny pod rouškou tajemství. Stále například není jasné, zdali bude možné na jednom paměťovém řadiči kombinovat klasické (DRAM) paměti a nové paměti typu Optane DC Persistent. Známy prozatím nejsou ani informace o spotřebě, taktech, životnosti nebo cenách.

Pro zvýšení životnosti budou mít moduly vyhrazenu rezervní kapacitu, u 512 GB varianty by to mělo být snad až 25 % navíc, fyzicky tedy bude přítomno pravděpodobně až 640 GB prostoru.

Štítky: 

Podobné články

Marcin Gaczor, business development manažer v Kingstonu

Marcin Gaczor (Kingston): Distributorům a resellerům zůstáváme věrní

3. 12. 2024. (redaktor: František Doupal, zdroj: DCD Publishing a Kingston)
S Marcinem Gaczorem, business development manažerem společnosti Kingston, který má na starosti zastoupení značky na českém a slovenském trhu, jsme hovořili o nejnovějších trendech v segmentu operačních pamětí a úložišť. Zásadních novinek, které Kingston v nedávné době představil, nebo které brzy uvede na trh, je přitom více než dost… Čtěte více
Giorgio Ippoliti, Field Applications Engineering EMEA, Sandisk

Úložiště s technologií Flash a jejich dopad na provoz datových center

29. 4. 2025. (redaktor: František Doupal, zdroj: SanDisk)
V posledních letech jsme svědky významného pokroku ve výkonu, kapacitě a hustotě pamětí NAND, SSD a NVMe. Současně roste poptávka po vysokorychlostním zpracování dat a rychlém přístupu k nim. Zavádění úložišť postavených na technologii Flash do podnikové IT infrastruktury výrazně zrychlilo. Čtěte více

XPG pokořilo světový rekord v taktování pamětí DDR5

10. 4. 2025. (redaktor: František Doupal, zdroj: XPG)
XPG, značka společnosti ADATA, ve spolupráci s firmou Gigabyte dosáhla u pamětí Lancer RGB DDR5, chlazené tekutým dusíkem, rychlosti 12 762 MT/s. Byl tak překonán dosavadní světový rekord v přetaktování pamětí DDR5. Výsledky ověřila mezinárodní renomovaná platforma HWBOT. Čtěte více

Lexar nabízí paměťovou kartu do extrémních podmínek s jádrem z nerezové oceli

10. 2. 2025. (redaktor: František Doupal, zdroj: Focus Nordic)
Společnost Lexar rozšířila svou řadu Armor, která je známá svou spolehlivostí a odolností, o paměťovou kartu Lexar Armor Gold SDXC UHS-II s jádrem z nerezové oceli, které zvyšuje její pevnost a odolnost. Čtěte více