Samsung vyrábí 4GB paměti DDR3

V případě pamětí typu DRAM, u nichž se každá paměťová buňka skládá z navzájem propojeného kondenzátoru a tranzistoru, je další miniaturizace oproti paměti typu NAND Flash, kde každá buňka obsahuje pouze tranzistor, obtížnější. Pro další miniaturizaci složitějších paměťových čipů typu DRAM musel Samsung upravit technologie používané při návrhu a výrobě paměťových obvodů a přišel s technologií dvojité expozice a upraveným postupem nanášení atomové vrstvy.

Nový postup vyvinutý společností Samsung je průlomovým krokem vpřed, neboť umožňuje produkovat paměti DDR3 s použitím 20nm výrobního procesu na stávajících fotolitografických zařízeních, a dává tak základ pro budoucí výrobu DRAM čipů na bázi 10nm výrobního procesu. Společnost Samsung také úspěšně vytvořila ultratenké dielektrické vrstvy tvořené kondenzátory nebývalé pravidelnosti, což umožňuje dosáhnout lepších výkonnostních parametrů paměťové buňky.

Použitím těchto technologií při výrobě 20nm DDR3 DRAM se společnosti Samsung podařilo také zvýšit produktivitu výroby, která je nyní ve srovnání s dřívější 25nm technologií pro výrobu DDR3 o více než 30 % vyšší a ve srovnání s 30nm technologií dokonce dvakrát vyšší.

Nové moduly založené na 20nm DDR3 s kapacitou 4 GB kromě toho dokážou ušetřit až 25 % energie spotřebované srovnatelnými moduly vyrobenými pomocí předchozí 25nm výrobní technologie. Toto zlepšení umožňuje globálním společnostem poskytovat nejvyspělejší ekologická IT řešení v oboru.

„Nové energeticky úsporné paměti DDR3 DRAM se rychle rozšíří v celém IT odvětví, včetně stolních počítačů a mobilních zařízení, a brzy se stanou standardem v tomto oboru,“ prohlásil Young-Hyun May, výkonný viceprezident pro prodej a marketing paměťových modulů společnosti Samsung Electronics. „Samsung se bude i nadále snažit o to, aby dodával nové generace pamětí DRAM a ekologická paměťová řešení v předstihu před konkurencí a v úzké spolupráci s významnými zákazníky tak přispěl k růstu globálního IT trhu,“ dodal May.

Podle údajů z průzkumu trhu provedeného společností Gartner vzroste globální trh s paměťovými moduly DRAM z 35,6 mil. USD v roce 2013 na 37,9 mld. USD v roce 2014.