Nový tranzistor od Intelu
4. 5. 2011. (redaktor: Richard Voigts, zdroj: Intel a DCD Publishing)
Intel vyvinul průlomový druh tranzistoru 3D Tri-Gate. Jeho výkon bude vyšší díky jeho vyššímu zisku při nižším napájecím napětí, a tím i nižší spotřebě. Výroba integrovaných obvodů bude levnější. Jejich základem je totiž právě tranzistor.
Tranzistor 3D Tri-Gate tedy není už podle názvu plošný ale prostorový. Má plně, resp. mnohem lépe využívat možnosti křemíkového substrátu než planární tranzistor.
Intel jej hodlá uplatnit v širokém spektru svých čipů pro koncové produkty, u nejvýkonnějších i u jednodušších, od serverů přes stolní počítače a notebooky až po zabudované (embedded) zařízení.
Intel bude optimalizovat procesory s tímto tranzistorem i pro mobilní přístroje, včetně telefonů a tablet PC.
V živém webovém vysílání z americké tiskové konference dal Intel vědět o 3D Tri-Gate tranzistoru 4. května v 18.30 SEČ.
