Intel a Micron uvedli technologii NAND Flash 20nm

Zvyšující se kapacita i výkon tabletů a chytrých telefonů přináší požadavky na technologii NAND, zejména na vyšší kapacitu při menších rozměrech. NAND o kapacitě 8 GB je vyráběna 20nm technologií a měří pouhých 118 mm2. Oproti stávajícím 25nm 8GB NAND je plocha snížena o 30 až 40 procent (podle typu zařízení). Menší rozměry vedou k větší systémové efektivitě, jelikož výrobci tabletů mohou takto uspořené místo využít pro další vylepšení, například pro větší baterii, větší displej nebo pro další čip s funkcemi.

Výrobu zajišťuje společnost IM Flash Technologies (IMFT), která je společným podnikem Intelu a Micronu. Produkt vyráběný 20nm technologií a disponující kapacitou osm GB představuje skutečný průlom a upevňuje vedoucí postavení obou společností v oblasti návrhu tištěných spojů. Zmenšení NAND představuje nejefektivnější způsob, jak zvýšit výrobu podniků, protože tato technologie z nich dokáže vyprodukovat o téměř 50 procent vyšší paměťovou kapacitu ve srovnání se stávající technologií. Výrobní proces nabídne uživatelům podobný výkon a životnost jako předchozí 25nm technologie.

„Úzká spolupráce se zákazníky má pro společnosti Micron klíčový význam a prostřednictvím podobných projektů se nám daří neustále objevovat příležitosti pro paměti NAND flash,“ řekl Glen Hawk, viceprezident divize NAND při společnosti Micron, a dodal: „Dvacetinanometrová technologie dále rozšiřuje pole našich příležitostí v oblasti inovace a růstu a umožní dodávat našim zákazníkům rentabilní solid-state paměti.“

„Naším cílem je poskytnout klientům bezprostřední a cenově dostupný přístup k informacím po celém světě,“ řekl Tom Rampone, viceprezident společnosti Intel a generální manažer divize Non-Volatile Memory Solutions Group. „Řešení NAND nám umožňují vyrábět pro naše zákazníky cenově nejúspornější řešení, a to generaci po generaci. Spojení společností Intel a Micron je modelem pro počítačový průmysl. Společně jsme lídry v oblasti výrobní technologie a dokážeme rychle zajistit přechod celé naší výrobní sítě na menší technologie.“

20nm zařízení se v současné době testuje a očekává se, že masová výroba odstartuje v druhé polovině roku 2011. Tou dobou Intel a Micron představí verzi o kapacitě 16 GB, díky níž bude možné vytvořit solid-state paměť o kapacitě 128 GB, jež bude rozměry menší než poštovní známka.